Comme annoncé, voici enfin la ma méthode de test des Mosfets a l'aide de la fonction testeur de composant d'un oscilloscope Hameg.
Les transistors Mosfet peuvent assurer les mêmes fonctions que les transistors bipolaires.
Parmi leurs avantages une faible chute de tension lorsque ils sont utilisés en saturation, c’est à dire à pleine conduction (saturés), comme dans la commande de solénoïdes ou d’ampoules.
Mais leurs plus gros avantage par rapport au transistors bipolaires, c’est la très faible puissance nécessaire pour les commander.
Il existe quatre types de Mosfet, mais ici, seuls deux vont nous concerner, ceux à enrichissement, en canal N que l’on peut rapprocher des transistors NPN, et ceux enrichissement canal P comparable aux transistors PNP.
Un Mosfet dispose de trois électrodes, la source S (équivalent à l’émetteur d’un transistor), la porte ou gate G (base d’un transistor), et le drain D (collecteur).
Un Mosfet est dit à enrichissement lorsque « au repos », il ne conduit pas (état bloqué) et qu’il se met à conduire si l’on applique une tension sur la gate.
- Mosfets.jpg (109.75 Kio) Vu 7665 fois
Relier la Source à la masse du testeur et le Drain à son entrée.
Si le Mosfet n’est pas en court circuit, différent cas peuvent se présenter :
- Canal N bloqué.jpg (80.13 Kio) Vu 7665 fois
en parallèle entre S et D.
C’est le cas le plus courant.
- Canal N conduction partielle 1.jpg (78.97 Kio) Vu 7665 fois
- Canal N conduction partielle 2.jpg (77.73 Kio) Vu 7665 fois
Contrairement à la base d’un bon vieux transistor, la Gate du Mosfet est à très haute impédance, et de plus, elle est très capacitive.
Dans notre cas, la capacité de la Gate est restée chargée par une tension résiduelle, d’ou la conduction.
- Canal N saturé.jpg (78.75 Kio) Vu 7665 fois
Pour savoir si il est bon ou en court circuit, il suffit de relier la Gate à la Source ce qui va éliminer la tension résiduelle de Gate et bloquer le Mosfet.
Le blocage peut être réaliser simplement en attrapant les deux pattes extrêmes (S et G) entre le pouce et l’index.
Les deux cas ci dessus peuvent aussi se présenter lors du contrôle d’un Mosfet à l’aide d’un multimètre en test diode, ce qui peut faire croire, à tort,
que le Mosfet est HS.
La aussi, il faut décharger la résiduelle de Gate.
Dans le cas du testeur, il peut afficher une figure du genre de ci dessous, elle est due à l’injection du 50 Hertz ambiant capté par le corps humain.
C’est une preuve du bon fonctionnement du Mosfet.
C’est la méthode que j’utilise le plus, un peu déroutante au début, mais facile à réaliser avec un peu d’habitude.
- Canal N test 50 hertz.jpg (79.87 Kio) Vu 7665 fois
En cas de doute, se servir du montage utilisé pour les thyristors.
Le Mosfet est mis en conduction en appliquant la tension des trois piles de 1,5 volts sur la Gate à travers la résistance de 1,8 Kohms.
Une pointe de test supplémentaire, reliée à la masse, sert à « décharger » la Gate pour bloquer le Mosfet
- Test Mosfets.jpg (122.56 Kio) Vu 7665 fois
On se sert montage utilisé pour le test des thyristors.
Dans ce cas, il est recommandé de mettre une résistance de 100 Ohms en parallèle avec la
1,8 Kohms pour garantir une tension de Gate suffisante si les composants de la carte « dérivent » une partie de la tension des piles.
Pour les Mosfets canal P, la méthode est la même, et les figure sur l’écran du testeur seront inversées de 180 degrés.
- Canal P bloqué.jpg (80.04 Kio) Vu 7665 fois
Vous avez tenu jusqu'à la fin, bravo.
N’hésitez pas à poser vos questions si certain points vous semblent obscurs.
Bons tests.
Rappel des autres articles Hameg : testeur-composant-hameg-generalites-t95788.html
testeur-composants-hameg-les-thyristors-t95804.html
Bernard
