tip 36 pour data east
Flipper concerné :Si necessaire, merci de proposer un flipper en relation avec ce sujet. |
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Attention, si votre sujet ne concerne pas tous les flippers, merci de poster dans la rubrique DOT, numérique/alpha ou électromécanique.
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debar thierry
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debar thierry
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heuuu... david, les transistor ne sont pas fait de <b>silicone</b> (avec un 'l' et un 'n') mais de <b>silicium</b> (venant de silice, comme le verre)...<br>
thierry : bon, j'ai également un starwars avec sa doc, ça devrai donc aller. pour q2, verifie que r18 a bien 220ohm et verifie que d20 n'est pas en hs. de même, regarde l'impédance entre les broches 9 et 10 de j8. tu dois avoir une résistance très faible, voir un court-jus.<br>
par contre, là ou ça ce complique, j'ai deux infos contradictoirs sur le manuel : page47 q2 commanderai la deathstar (fils de couleur noir/vert pour br9 de j8 et fil noir/bleu pour br10 de j8) alors que page29, ce serai la bobine de 'right power scoop' (blanc/violet pour br9 de j8 et violet/noir pour br10 de j8). regarde déjà tout ça, j'irais voir directement sur mon flipper demain pour te confirmer. <br>
bon courage.
thierry : bon, j'ai également un starwars avec sa doc, ça devrai donc aller. pour q2, verifie que r18 a bien 220ohm et verifie que d20 n'est pas en hs. de même, regarde l'impédance entre les broches 9 et 10 de j8. tu dois avoir une résistance très faible, voir un court-jus.<br>
par contre, là ou ça ce complique, j'ai deux infos contradictoirs sur le manuel : page47 q2 commanderai la deathstar (fils de couleur noir/vert pour br9 de j8 et fil noir/bleu pour br10 de j8) alors que page29, ce serai la bobine de 'right power scoop' (blanc/violet pour br9 de j8 et violet/noir pour br10 de j8). regarde déjà tout ça, j'irais voir directement sur mon flipper demain pour te confirmer. <br>
bon courage.
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olivier1
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une petite precision, un transistor de commande ne fuit pas, il marche ou il marche pas, voir en court circuit, et lors le transistor de puissance grille, ce n'est pas à cause du transistor de commande, c'est ce qui se trouve derriere (la bobine par ex) qui claque le transistor de puissance, et qui parfois (selon comment le transistor a laché) peut entrainer la destruction de transistor de commande, mais pas l'inverse, ce transistor de commande est detruit par voie de consequence.
quand au silicone, c'est un bon isolant contrairement au silicium.
quand au silicone, c'est un bon isolant contrairement au silicium.
hello, alors on m'attaque, vous ne savez plus parler et comprendre les jokes ( plaisanteries ).
au fait si on veut faire les malins en connaissance d'electronique, on peut jouer, et un transistor est dit en fuite quant celuici ne joue plus le rôle de fonctionnement saturé ou bloqué, il travaille dans un zone linéaire non désiréé.
alors olivier quel est ton savoir sur les jonction p ou n, je veux savoir.
comment tu dopes tes transistors, au sillicium ou au germanium, ?????
au fait si on veut faire les malins en connaissance d'electronique, on peut jouer, et un transistor est dit en fuite quant celuici ne joue plus le rôle de fonctionnement saturé ou bloqué, il travaille dans un zone linéaire non désiréé.
alors olivier quel est ton savoir sur les jonction p ou n, je veux savoir.
comment tu dopes tes transistors, au sillicium ou au germanium, ?????
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jr-karr
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des petites précisions (pour clarifier les choses, si je peux me permettre...)= les transistors utilisés sur les flippers en commande d'elements de puissance (qq soit la marque) travaillent tous en regime de commutation, c.a.d. bloqué/saturé. ils ne dissipent donc pratiquement pas de puissance .
un tr de puiss. peut "'mourir"' spontanement, c.a.d. se couper (souvent la jonction base-collector), ou passer en court-circuit (par fusion de l'espace emetteur-collecteur ou de la jonction base-emetteur). les darlington de puiss. sont concus pour procurer un grand gain, cela s'obtient par fort dopage des jonctions qui se traduit souvent par une certaine fragilite dans le temps pour les transistors de "'seconde source"' ou de marques "'suspectes"'; préferer du réputé, genre rca, rockwell, motorola,...etc...
il est vrai que, par effet d'avalanche, il arrive que le tr. pré-driver (s'il y en a un) ne deguste aussi en recevant du 20 a 70v (selon la marque du jeu) en inverse. sur un gtb system 1, l'absence de diode en serie ds la base du tr. driver peut entrainer un "'retour de flamme"' de 24v dans la cpu si le transistor voit sa jonction b-c flamber ! (cartes driver 1ere serie).
il arrive aussi assez souvent qu'un claquage de l'espace e-c produise une resistance parasite d'assez faible resistance (une fuite, quoi !....) qui se mesure en dynamique et se verifie presque tjrs a l'ohmetre....
cependant, assez souvent, le tr. de puiss. n'est qu'une victime = par ex. d'un plantage de cpu (ou d'un transitoire de son alimentation) avec comme condition agravante un fuse mal calibré dans le circuit bobine). une panne du -12v sur un gtb system 1 provoque aussi le collage immediat de ttes les bobines, ce qui peut donner du realisme a un jeu comme "'totem"' au bout de qq minutes!.....
il arrive assez souvent que la diode en // sur la bobine (destinee a absorber l'extra courant de rupture généré lors du reblocage du tr.) se coupe, par fatigue; cela provoque presqu'immediatement la mise en court circuit e-c du transistor correspondant.
a cause de leur defaut de design, les gottlieb's (en particulier star 80) sont predisposes aux pb de consommation importante de tr. drivers. le manque de reference de masse directe a la cpu provoque souvent une conduction permanente mais partielle (donc dissipation) des tr. driver. des que la ddp masse cpu/retour de masse driver atteint 0,8v. les tr. drivers travaillent alors en regime linaire et chauffent cette fois.... a partir d'une ddp de env. 1.2-1.3v, les courants base sont en general suffisants pour faire coller certaines bobines . je conseille a mon entourage (depuis au moins 8ans) de faire une liaison directe cpu-point nodal (sur la platine transfos) de facon a referencer correctement cette masse cpu.
(marvin avait fini par cahnger son fusil d'epaule, il y a qq temps a ce sujet, merci a pascal janin d'avoir reussi a le convaincre !....)
pour info, le silicium a l'etat pur est effectivement un isolant; c'est le process de dopage (par des substances genre gallium, arsenic...etc...) qui lui donne la conductivité .... la "'semi-conductivité"' devrais-je dire
désolé d'avoir été long, j'avais un peu de temps et c'est vraiment pas souvent !...
jean-rené karr
un tr de puiss. peut "'mourir"' spontanement, c.a.d. se couper (souvent la jonction base-collector), ou passer en court-circuit (par fusion de l'espace emetteur-collecteur ou de la jonction base-emetteur). les darlington de puiss. sont concus pour procurer un grand gain, cela s'obtient par fort dopage des jonctions qui se traduit souvent par une certaine fragilite dans le temps pour les transistors de "'seconde source"' ou de marques "'suspectes"'; préferer du réputé, genre rca, rockwell, motorola,...etc...
il est vrai que, par effet d'avalanche, il arrive que le tr. pré-driver (s'il y en a un) ne deguste aussi en recevant du 20 a 70v (selon la marque du jeu) en inverse. sur un gtb system 1, l'absence de diode en serie ds la base du tr. driver peut entrainer un "'retour de flamme"' de 24v dans la cpu si le transistor voit sa jonction b-c flamber ! (cartes driver 1ere serie).
il arrive aussi assez souvent qu'un claquage de l'espace e-c produise une resistance parasite d'assez faible resistance (une fuite, quoi !....) qui se mesure en dynamique et se verifie presque tjrs a l'ohmetre....
cependant, assez souvent, le tr. de puiss. n'est qu'une victime = par ex. d'un plantage de cpu (ou d'un transitoire de son alimentation) avec comme condition agravante un fuse mal calibré dans le circuit bobine). une panne du -12v sur un gtb system 1 provoque aussi le collage immediat de ttes les bobines, ce qui peut donner du realisme a un jeu comme "'totem"' au bout de qq minutes!.....
il arrive assez souvent que la diode en // sur la bobine (destinee a absorber l'extra courant de rupture généré lors du reblocage du tr.) se coupe, par fatigue; cela provoque presqu'immediatement la mise en court circuit e-c du transistor correspondant.
a cause de leur defaut de design, les gottlieb's (en particulier star 80) sont predisposes aux pb de consommation importante de tr. drivers. le manque de reference de masse directe a la cpu provoque souvent une conduction permanente mais partielle (donc dissipation) des tr. driver. des que la ddp masse cpu/retour de masse driver atteint 0,8v. les tr. drivers travaillent alors en regime linaire et chauffent cette fois.... a partir d'une ddp de env. 1.2-1.3v, les courants base sont en general suffisants pour faire coller certaines bobines . je conseille a mon entourage (depuis au moins 8ans) de faire une liaison directe cpu-point nodal (sur la platine transfos) de facon a referencer correctement cette masse cpu.
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pour info, le silicium a l'etat pur est effectivement un isolant; c'est le process de dopage (par des substances genre gallium, arsenic...etc...) qui lui donne la conductivité .... la "'semi-conductivité"' devrais-je dire
désolé d'avoir été long, j'avais un peu de temps et c'est vraiment pas souvent !...
jean-rené karr
Jean-René Karr
Collection complete des Flippers Gottlieb's Syt 1 & Star 80/80A
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