Batteur bloqué en position haute et transistor brûlant

[yoyokopter]

Flipper éteint, mesure Q16.

Salut Romain , Q16 est mort .... j'ai une continuité permanente entre sa gate et sa source (la patte à la masse) donc mon histoire de signal qui disparait sur la gate de Q16 c'est normal .

Si tu as changé tes transistors, j'aurais tendance à dire que le problème est en amont

Si tu prends le temps de lire ce que j'ai écrit avant , j'ai controlé à l'oscillo la sortie 19 du U2 (le 74HCT273) et j'ai exactement la même pulse que sur le flip gauche qui marche donc pas de soucis de ce coté là .

[yoyokopter]

Hé oui c'est encore moi , je sais je parle pas d'argent , je parle pas de vente ou d'achat , mais toujours de mon soucis , donc si vous pouviez m'aider car là de devient fou
Je viens donc de changer pour la énième fois mon transistor Q16 et le fusible de 3A SB ........ je teste sans brancher le connecteur J9 , je lance une partie , j'utilise une vingtaine de fois les boutons de flip , j'arrete le flip , je reteste Q16 et aucun soucis même comportement q'avant le test , ensuite je rebranche J9 , je rallume le flip , tout est ok , je lance une partie ok aussi j'actionne le flip droit et encore une fois PAFFFFFFFFFFFFF le flip reste en haut 1 a 2s et pafffff le fusible et le transistor encore une fois
je rappelle que la bobine et la diode sont neuves , mais par acquis de conscience je coupe un coté de la diode et la teste elle est ok ........................ franchement là je comprend plus rien

[romain]

Question bête, mais t'as bien ressoudé les fils dans le bon sens sur la bobine ?

[yoyokopter]

Oui Romain , pas de soucis de ce coté là , si j'appelle à l'aide ici c'est vraiment que je ne voit pas d’où viens la panne

[romain]

Quel MOSFET as-tu mis?

Les 2 plus gros risques de griller un MOS dans un flip sont:
- surintensité (et surchauffe).
- surtension.

Dans le cas de la surintensité, ça peut venir d'un court-circuit (ce que tu as vérifié) ou de la bobine ayant une impédance trop faible (car endommagée?). Resistance de la bobine à mesurer donc.
La diode montée à l'envers aura le même résultat: surintensité, surchauffe et grillage du MOS.

La surtension est plus sournoise car dans le cas d'une diode manquante ou défectueuse, la surtension se produit à l'ouverture du MOS (lorsque tu relâche le bouton). L'énergie stockée dans la bobine doit se dissiper et faute de diode, le MOS morflera

Il y a aussi le cas du MOS qui n'est pas saturé correctement. Un MOS ne conduit à son plein potentiel que si la tension à sa base (Vgs) est supérieure à son seuil de saturation. Dans le cas contraire il se comporte comme une resistance, chauffe et éventuellement se détruit.
Par exemple, un IRL540 a un seuil de saturation autour de 4V: https://www.vishay.com/docs/91300/91300.pdf (Fig 3, page 3).
Par contre un IRF540 a un seuil de saturation vers 7V. A 5V il ne peut conduire que 15A ce qui est insuffisant pour la pulse de la bobine.

Bon courage

[yoyokopter]

Déjà en premier un grand merci à toi d'essayer de m'aider
Pour le MOSFET j'ai monté un RFP40N10 normalement plus puissant que le 20N10 d'origine
La bobine est neuve c'est la référence d'origine 090-5020-20T, mon multimètre n'est pas super top dans cette échelle de résistance .... je mesure environ 12 ohms
La diode est neuve aussi , j'ai même coupé une patte pour la contrôler .

[romain]

Le RFP40N10 n'est pas saturé à 5V, il sature entre 7 et 10V.

[yoyokopter]

Arffffffffffffffffff cela pourrait bien venir de là alors ?????????
Si c'est le cas j'ai droit à la flagellation en place publique ........ je vais donc commander encore un fois des composants .... mais les bons
Que me conseilles tu Romain , les origines STP2010L ou des IRL 540 ????? car bien sur à la maison je n'ai que des IRF 540

[romain]

Celui d'origine STP20N10L me semble plus adapté car sa capacité de Grille (Gate) est inférieure (capacité parasite mesurée en pF ou nC et indiquée Cgs). Le IRL540 a une capacité parasite 2x supérieure au STP20N10L. Cette capacité s'oppose à la commutation du transistor. Plus la résistance de grille est élevée (ici 22k Ohm) moins le MOS va commuter rapidement et plus il va rester longtemps dans sa région linéaire (non-saturée) et donc chauffer.

Je trouve d'ailleurs que 22 k Ohm est très élevé. La limite d'un 74HCT273 (p5 https://assets.nexperia.com/documents/d ... HCT273.pdf) est de 25mA de courant de sortie sur chaque sortie, ce qui donne R=U/I=5/0.025=200 Ohm minimum.
Le courant max entre toutes les IO ne doit pas dépasser 50mA, donc en imaginant le rare cas où 2 voire 3 bobines sont activées en même temps, il faudrait tripler cette valeur (soit 600 Ohm).
En électronique on aime bien les valeurs rondes et j'aurai mis 1k Ohm pour contrer l'effet parasite de Cgs.
En diminuant R16 entre 1k et 10k il serait alors possible d'utiliser un IRL540.

[yoyokopter]

Waouuuu plus de précisions ce serait dur
Je vais partir a l'origine et commander des STP20N10L je te tiendrais au courant , quand ils seront arrivés et installés , encore merci pour ton aide